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三星為次世代游戲顯卡開發(fā)內(nèi)存芯片

時(shí)間:2016-01-21 09:33:36 來源:engadget 作者: 智能公社

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三星在開發(fā)內(nèi)存產(chǎn)品上素有心得,他們最新的足跡更伸延至 DRAM 種類。他們最新的 HBM2 模塊將能提供最高 256GBps(是大寫 B 啊,Byte 的意思)的速度,是現(xiàn)時(shí) DDR5 芯片市市上最快的。三星指這款 20nm 制程的芯片是提供予愿意花錢于其產(chǎn)品的服務(wù)器生產(chǎn)商。像是 NVIDIA 和 AMD 就能藉此為其顯卡產(chǎn)品帶來顯著的性能提升和改善耗電。

三星正量產(chǎn)四層 8gb 核心的 4GB 模塊,然而他們已經(jīng)計(jì)劃于年底推出 8 層 8GB 的產(chǎn)品。據(jù)該公司的描述,他們這款芯片產(chǎn)品相比 GDDR 5 DRAM,將能讓設(shè)計(jì)師多有 95% 的空間來使用。換句說話,就是新的顯卡產(chǎn)品將能更小巧、更快、更冷靜。4GB 模塊相信會(huì)在次世代的消費(fèi)級(jí)顯卡上出現(xiàn),而 8GB 模塊則可能應(yīng)用在 NVIDIA 的 Kepler 和 AMD FirePro 工作站上。
 
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